ASTM F 1340-1992 用电荷抽运法测定金属氧化物半导体场效应晶体管界面平均陷阱密度的测试方法
作者:标准资料网
时间:2024-05-12 03:30:22
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【英文标准名称】:TestMethodforDeterminingtheMeanInterfaceTrapDensityofMOSFETsbyCharge-Pumping
【原文标准名称】:用电荷抽运法测定金属氧化物半导体场效应晶体管界面平均陷阱密度的测试方法
【标准号】:ASTMF1340-1992
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1992
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:试验;场效应晶体管;半导体
【英文主题词】:semiconductors;testing;field-effecttransistors
【摘要】:
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:5P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:用电荷抽运法测定金属氧化物半导体场效应晶体管界面平均陷阱密度的测试方法
【标准号】:ASTMF1340-1992
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1992
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:试验;场效应晶体管;半导体
【英文主题词】:semiconductors;testing;field-effecttransistors
【摘要】:
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:5P;A4
【正文语种】:英语
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